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Everspin MRAM替換FRAM
可靠性考慮比較FRAM架構(gòu)采用鐵電材料作為存儲器件，這些材料具有一個固有的電偶極子，該偶極子在外部電場的作用下轉(zhuǎn)換為相反的極性。 FRAM
2020-09-28
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實例說明寫入FRAM的零時鐘周期延遲的影響
一個典型的EEPROM需要5毫秒的寫周期時間，以將其頁面數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到非易失性EEPROM內(nèi)。當需要寫入幾千字節(jié)的數(shù)據(jù)時，會導致寫入時間較長。相比之下的FRAM不會使這種寫操作變慢;
2020-09-27
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為高性能FPGA平臺選擇合適的存儲器
從純技術(shù)角度考慮兩個最廣泛使用的DRAM選項-同步DRAM（SDRAM）和減少延遲的DRAM（RLDRAM）。SDRAM tRC在過去10年中沒有實質(zhì)性的發(fā)展，約為
2020-09-25
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高耐久性Cypress FRAM電池管理應用
電池管理系統(tǒng)(BMS）是一個電子控制系統(tǒng)，它監(jiān)控并控制著電動和混合動力汽車的電池系統(tǒng)。該單元的主要功能是保護每塊電池免受損壞，延長它們
2020-09-24
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針對汽車市場的FRAM
這些年來，汽車產(chǎn)品對電子產(chǎn)品的依賴性日益增強。從前的機械系統(tǒng)轉(zhuǎn)移到電子控制單元（ECU）。針對汽車產(chǎn)品安全和用戶娛樂目的的新系統(tǒng)所面
2020-09-23
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高速性低功耗SRAM應用于物聯(lián)網(wǎng)
在過去的幾十年中，SRAM領(lǐng)域已劃分為兩個不同的產(chǎn)品系列-快速和低功耗，每個產(chǎn)品都有自己的功能，應用程序和價格。使用SRAM的設(shè)備需要它的
2020-09-22
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