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Nand Flash控制器將上漲約15~20%
集邦咨詢:上游晶圓代工產(chǎn)能緊缺,NandFlash控制器將上漲約15~20%根據(jù)集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究處調(diào)查顯示,受限于上游臺(tái)積電與聯(lián)電等晶圓代
2021-01-26
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DRAM存儲(chǔ)器漲跌有別
針對(duì)近期各家外資紛紛看好存儲(chǔ)器的前景,預(yù)計(jì)存儲(chǔ)器將自2021年首季開始迎接新的成長周期,且時(shí)間將持續(xù)至2022年中。同時(shí)存儲(chǔ)器市場(chǎng)方面,雖
2021-01-25
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MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器,因此有可能會(huì)贏得巨大的市
2021-01-22
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?彌補(bǔ)現(xiàn)有MRAM的不足
對(duì)于長期處于困境的MRAM行業(yè)來說,自旋注人方式可以說是一項(xiàng)能夠扭轉(zhuǎn)危機(jī)的革新技術(shù)。MRAM轟轟烈烈地問世。但此后,MRAM在工藝發(fā)展和大容量
2021-01-21
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將賽普拉斯nvSRAM替換為MRAM
本章節(jié)對(duì)賽普拉斯 4 Mbit(256K x 16)nvSRAM 和 MRAM器件分別在 44 引腳 TSOP-II(薄小外型封裝-II 類型)和 48球型焊盤 FBGA
2021-01-20
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PSRAM在數(shù)據(jù)緩沖應(yīng)用中可以取代SRAM或SDRAM
PSRAM它具有類SRAM的接口協(xié)議:給出地址、讀、寫命令,就可以實(shí)現(xiàn)存取,不像DRAM需要memory controller來控制內(nèi)存單元定期數(shù)據(jù)刷新,因此
2021-01-19
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